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高頻香蕉国产2023加熱對奧氏體形成過程的影響-廣東海瑞拓公司



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    高頻香蕉国产2023加熱對奧氏體形成過程的影響

    高頻香蕉国产2023加熱對奧氏體形成過程的影響。

    在連續快速加熱的情況下,奧氏體的形成過程仍然是通過晶核形成的四個階段:晶體生長、殘留滲碳體溶解和成分均勻化。然而,快速加熱在不同階段有不同的影響和作用。本文介紹了香蕉国产2023加熱對奧氏體形成過程的影響。

    高頻香蕉国产2023加熱對奧氏體形成過程的影響(圖1)

    高頻香蕉国产2023加熱對奧氏體溫度和速度的影響。

    奧氏體形成溫度是鋼的臨界點Ai、A3和A...它們是選擇熱處理溫度的重要參考。高頻香蕉国产2023加熱時,不同的加熱速度對奧氏體溫度的影響如下。

    隨著加熱速度的增加,奧氏體的形成溫度升高。不同的加熱速度對含碳量為0.85%的碳鋼奧氏體的影響。加熱藍線中口表示奧氏體開始形成,結束。從曲線上可以看出,當加熱速度為10℃.S-l時,A.1約為770℃;當加熱速度增加到160℃.s-1時,A.1升至800℃左右;當加熱速度繼續增加時,A.1的增加放緩。從這種情況可以推斷,當加熱速度增加時,鋼的臨界點A...點也會增加。在選擇高頻香蕉国产2023加熱奧氏體化溫度時重要。

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