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    IGBT絕緣柵雙極晶體管電源是雙極晶體管BIT與MOSFET晶體管的複合。

    雙極晶體管飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流也較大;MOSFET晶體管為電壓驅動型,驅動功率小,載流密度小,開關速度快,導通壓降大。IGBT晶體管綜合了兩種器件的優點,成為低功率、低飽和壓、低導通損耗的新型器件。

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    IGBT晶體管香蕉国产2023加熱電源與晶閘管中頻電源相比,工作頻率高達lOOkHz以上。其效A率略高於可控矽。所以,它既可以作為超音頻電源,也可以作為中頻香蕉国产2023加熱電源,完全可以替代真空管式超音頻電源和部分晶閘管。

    其發展前景比可控矽更廣闊。

     

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